Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Pontuação geral
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Pontuação geral
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    31 left arrow 43
    Por volta de -39% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.9 left arrow 14.9
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.4 left arrow 9.6
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    43 left arrow 31
  • Velocidade de leitura, GB/s
    14.9 left arrow 16.9
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.6 left arrow 12.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow no data
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2506 left arrow 3043
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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