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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston 9905630-052.A00G 16GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
71
左右 -137% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
30
读取速度,GB/s
2,831.6
14.0
写入速度,GB/s
1,322.6
11.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
2408
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
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AMD R538G1601U2S 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
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