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PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.8
17.5
写入速度,GB/s
8.4
12.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2807
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Inmos + 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
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