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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
87
左右 -181% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
31
读取速度,GB/s
3,155.6
15.6
写入速度,GB/s
870.4
11.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2535
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
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