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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
63
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
63
读取速度,GB/s
10.1
16.6
写入速度,GB/s
7.8
8.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
1863
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
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Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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