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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
60
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
30
读取速度,GB/s
4,595.2
17.9
写入速度,GB/s
2,168.2
13.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3332
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
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