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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
34
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
29
读取速度,GB/s
16.0
20.0
写入速度,GB/s
10.3
15.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
3713
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
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