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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
37
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
37
读取速度,GB/s
16.0
17.8
写入速度,GB/s
10.3
14.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
3171
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
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