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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
34
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
22
读取速度,GB/s
16.0
17.5
写入速度,GB/s
10.3
11.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
2748
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
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