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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
59
左右 42% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
16
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
59
读取速度,GB/s
16.0
17.9
写入速度,GB/s
10.3
9.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
1968
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
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