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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
34
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
29
读取速度,GB/s
16.0
17.2
写入速度,GB/s
10.3
13.9
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
3503
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
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