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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.5
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
25
读取速度,GB/s
16.0
19.7
写入速度,GB/s
10.3
17.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
3917
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
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Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
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