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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
35
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.7
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
35
读取速度,GB/s
16.0
14.6
写入速度,GB/s
10.3
10.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
2560
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
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