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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
比较
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
总分
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
总分
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12
5.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.2
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
8500
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
12.0
5.7
写入速度,GB/s
7.2
3.0
内存带宽,mbps
12800
8500
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
排名PassMark (越多越好)
1933
609
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB RAM的比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
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