RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12 left arrow 5.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.2 left arrow 3.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 8500
    周辺 1.51% 高帯域
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 42
    周辺 -45% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    12.0 left arrow 5.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 3.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 8500
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1933 left arrow 609

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB RAMの比較

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB RAMの比較

Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
メモリRAM
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
メモリRAM