RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB против Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Причины выбрать
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    12 left arrow 5.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.2 left arrow 3.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 8500
    Около 1.51% выше полоса пропускания
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB Причины выбрать
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 42
    Около -45% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    42 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.0 left arrow 5.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.2 left arrow 3.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 8500
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1933 left arrow 609

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Сравнения RAM

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB Сравнения RAM

Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
модули RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
модули RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
модули RAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
модули RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
модули RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
модули RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
модули RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
модули RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
модули RAM