RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Comparar
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12
5.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.2
3.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
8500
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
42
Por volta de -45% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
42
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
5.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
3.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
8500
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1933
609
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link