RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB vs Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 43
    周辺 33% 低遅延
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.1 left arrow 5.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.3 left arrow 3.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 8500
    周辺 1.25 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 43
  • 読み出し速度、GB/s
    5.7 left arrow 11.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    3.0 left arrow 7.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    609 left arrow 1357

Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB RAMの比較

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB RAMの比較

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
メモリRAM