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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
34
左右 -13% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
30
读取速度,GB/s
16.0
13.5
写入速度,GB/s
10.3
7.2
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
2154
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
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