RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

总分
star star star star star
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

总分
star star star star star
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    34 left arrow 43
    左右 21% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16 left arrow 15.4
    测试中的平均数值
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.3 left arrow 10.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 10600
    左右 2.42 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    34 left arrow 43
  • 读取速度，GB/s
    16.0 left arrow 15.4
  • 写入速度，GB/s
    10.3 left arrow 13.3
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2782 left arrow 2776

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较

Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB

Kingston KF3200C20S4/8G 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
内存RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
INTENSO 5641162 8GB
INTENSO 5641162 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
内存RAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
内存RAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
内存RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
内存RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
内存RAM
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
内存RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
内存RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
内存RAM