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Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
比较
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
总分
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
总分
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
81
左右 65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.4
8.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.1
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
81
读取速度,GB/s
10.4
8.5
写入速度,GB/s
7.1
5.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1560
1651
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB RAM的比较
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
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