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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
比较
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
总分
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.6
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
24
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
14.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
22
读取速度,GB/s
14.9
16.3
写入速度,GB/s
10.6
10.5
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2738
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Mushkin 991586 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
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