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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.2
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 -12% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
33
读取速度,GB/s
13.2
11.0
写入速度,GB/s
8.4
8.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2200
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB RAM的比较
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
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Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
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