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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.2
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 -12% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
33
读取速度,GB/s
13.2
11.0
写入速度,GB/s
8.4
8.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2200
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
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