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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
总分
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
42
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
28
读取速度,GB/s
12.8
14.8
写入速度,GB/s
8.1
6.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2123
2014
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
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