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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
38
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
15.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
32
读取速度,GB/s
15.5
15.6
写入速度,GB/s
12.0
10.9
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
2822
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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