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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB

总分
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

总分
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 18.5
    测试中的平均数值
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 62
    左右 -182% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.7 left arrow 1,658.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 5300
    左右 3.62 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    62 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    4,216.7 left arrow 18.5
  • 写入速度，GB/s
    1,658.4 left arrow 13.7
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    688 left arrow 3283

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Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
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内存RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
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内存RAM
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
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内存RAM
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
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内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
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Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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