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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
比较
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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规格
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差异
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
30
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
18
读取速度,GB/s
15.2
20.4
写入速度,GB/s
9.0
17.2
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
3814
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Frequency (Mhz) *
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Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
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