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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
58
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
29
读取速度,GB/s
4,241.0
17.5
写入速度,GB/s
1,950.7
11.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3392
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
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Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
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Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
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