RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
38
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2822
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link