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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
34
左右 -6% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
32
读取速度,GB/s
16.0
11.8
写入速度,GB/s
10.3
8.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
2585
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Kingston 9905701-132.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
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