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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
38
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.4
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
38
读取速度,GB/s
16.0
14.7
写入速度,GB/s
10.3
12.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
2908
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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