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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
34
左右 -17% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.9
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
29
读取速度,GB/s
16.0
15.9
写入速度,GB/s
10.3
10.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
3105
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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