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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
70
左右 30% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
70
读取速度,GB/s
10.1
15.1
写入速度,GB/s
7.8
7.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
1865
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
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