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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
34
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
22
读取速度,GB/s
16.0
18.0
写入速度,GB/s
10.3
12.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
3110
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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