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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
100
左右 66% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
100
读取速度,GB/s
16.0
15.2
写入速度,GB/s
10.3
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
1479
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston HP16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
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