Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

总分
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

总分
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

差异

  • 更快的写入速度,GB/s
    12.1 left arrow 9.8
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    24 left arrow 25
    左右 -4% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    15.5 left arrow 13.4
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR5 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    25 left arrow 24
  • 读取速度,GB/s
    13.4 left arrow 15.5
  • 写入速度,GB/s
    12.1 left arrow 9.8
  • 内存带宽,mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    no data / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3419 left arrow 2509
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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