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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
比较
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
总分
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
总分
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
25
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
24
读取速度,GB/s
13.4
15.5
写入速度,GB/s
12.1
9.8
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3419
2509
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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Kingston 9905701-018.A00G 16GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
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