Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Differenze

  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.1 left arrow 9.8
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    24 left arrow 25
    Intorno -4% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.5 left arrow 13.4
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR5 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    25 left arrow 24
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.4 left arrow 15.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.1 left arrow 9.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    no data / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    3419 left arrow 2509
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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