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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Super Talent F24EB8GS 8GB

总分
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

总分
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Super Talent F24EB8GS 8GB

Super Talent F24EB8GS 8GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Super Talent F24EB8GS 8GB 需要考虑的原因
Super Talent F24EB8GS 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    31 left arrow 34
    左右 -10% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.2 left arrow 16
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.4 left arrow 10.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    34 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    16.0 left arrow 16.2
  • 写入速度，GB/s
    10.3 left arrow 12.4
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2782 left arrow 3017

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较

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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
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内存RAM
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
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Kingston XG9XKG-MIE 16GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
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内存RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
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内存RAM
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内存RAM
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