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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
28
读取速度,GB/s
16.0
17.2
写入速度,GB/s
10.3
12.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
3273
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
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