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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.2
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
44
左右 -10% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
40
读取速度,GB/s
11.2
9.1
写入速度,GB/s
8.1
6.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
1764
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
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SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
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