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Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
33
读取速度,GB/s
18.6
14.4
写入速度,GB/s
12.9
9.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3236
2486
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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