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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
56
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.2
7.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
4.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
56
读取速度,GB/s
11.2
7.5
写入速度,GB/s
8.1
4.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
1598
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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