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Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
14.9
18.7
写入速度,GB/s
8.1
15.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2482
3772
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
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