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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
47
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
23
读取速度,GB/s
11.8
17.2
写入速度,GB/s
8.0
12.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3227
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
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