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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
36
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
34
读取速度,GB/s
15.0
15.9
写入速度,GB/s
10.3
13.2
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2927
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
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