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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
41
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
30
读取速度,GB/s
13.9
17.6
写入速度,GB/s
8.5
13.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3429
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
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