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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
41
左右 -71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
24
读取速度,GB/s
13.9
19.5
写入速度,GB/s
8.5
16.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3718
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
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Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
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