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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
24.4
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
12.7
24.4
写入速度,GB/s
7.5
19.7
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
4300
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
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