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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
43
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
37
读取速度,GB/s
12.3
14.2
写入速度,GB/s
8.1
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2591
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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