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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
差异
规格
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差异
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
27
读取速度,GB/s
11.4
19.1
写入速度,GB/s
7.7
14.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
3040
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
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Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
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